Influence of C/Si Ratio on the 4H-SiC (0001) Epitaxial Growth and a Keynote for High-Rate Growth

材料科学 外延 增长率 工程物理 碳化硅 光电子学 纳米技术 冶金 工程类 几何学 数学 图层(电子)
作者
Yuuki Ishida,Tomoyuki Takahashi,Kazutoshi Kojima,Hajime Okumura,Kazuo Arai,Sadafumi Yoshida
出处
期刊:Materials Science Forum 卷期号:457-460: 213-216 被引量:14
标识
DOI:10.4028/www.scientific.net/msf.457-460.213
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