Influence of I/O oxide process on the NBTI performance of 28nm HfO2-based HKMG p-MOSFETs

负偏压温度不稳定性 材料科学 氧化物 可靠性(半导体) 栅氧化层 光电子学 金属浇口 MOSFET 过程(计算) 电子工程 电气工程 晶体管 电压 计算机科学 工程类 物理 冶金 功率(物理) 量子力学 操作系统
作者
Wei-Ting Kary Chien,Yueqin Zhu,Yongliang Song,Yong Zhao
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier]
卷期号:64: 220-224 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2016.07.004
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