Characteristics of electrical metal contact to monolayer WSe2

二硒化钨 单层 肖特基势垒 接触电阻 电极 材料科学 过渡金属 化学气相沉积 工作职能 金属 光电子学 纳米技术 化学 图层(电子) 冶金 催化作用 物理化学 二极管 生物化学
作者
Dae Hyun Jung,Sang Il Kim,Tae‐Wan Kim
出处
期刊:Thin Solid Films [Elsevier BV]
卷期号:719: 138508-138508 被引量:9
标识
DOI:10.1016/j.tsf.2020.138508
摘要

The extremely high contact resistance often observed in the interface between two-dimensional p-type transition-metal dichalcogenides and metal electrodes with a high work function, such as Ni, Au, and Pd, is usually correlated with poor device performance. Here, we report the quantitative contact resistance and the Schottky barrier height of chemical vapor deposition grown-monolayer tungsten diselenide (WSe2)-based field-effect transistors (FETs) with Au electrodes; these values are obtained by using the transmission line method and by analyzing the low-temperature transport properties, respectively. Back-gate monolayer WSe2 FETs with Au electrodes exhibit p-type behavior, with a mobility, on/off ratio, contact resistance, and Schottky barrier height of 0.2 cm2/V•s, 6×105, 0.495 MΩ·μm, and 38 meV, respectively.
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