Influneces of different oxygen partial pressures on switching properties of Ni/HfOx/TiN resistive switching devices

采用射频磁控溅射的方法，基于不同氧分压制备的氧化铪构建了Ni/HfOx/TiN结构阻变存储单元.研究发现，随着氧分压的增加，薄膜表面粗糙度略有降低；另一方面，阻变单元功耗降低，循环耐受性能可达103次，且转变电压分布的一致性得到改善.结合电流-电压曲线线性拟合结果及外加温度测试探究了器件的转变机理，得出在低阻态的传导机理为欧姆传导机理，在高阻态的传导机理为肖特基发射机理，并根据氧空位导电细丝理论，对高低阻态的阻变机理进行了详细的理论分析.