A Design of Low Power and Small Area 8 bit 200KS/s Synchronous Single-Ended SAR ADC

比较器 有效位数 逐次逼近ADC CMOS芯片 电子工程 计算机科学 12位 电压 电压基准 低功耗电子学 电容器 模数转换器 电容感应 功率(物理) 电气工程 工程类 功率消耗 物理 量子力学
作者
Dong-Jin Kim,Kang-Yoon Lee
标识
DOI:10.1109/itc-cscc55581.2022.9894972
摘要

This paper presents a design of low power 8 bit 200KS/s Synchronous Successive Approximation Register analog to digital (SAR ADC) converter. The proposed architecture is composed of Input Buffer, Dynamic Latch Comparator, Capacitive DAC, Reference Voltage Generator, and SAR Logic. Dynamic latch comparator is used to reduce the leakage current. In order to implement low power, the architecture of SAR ADC has been used and medium resolution among the architectures. The proposed structure is designed using 55-nm Complementary Metal-Oxided-Semiconductor (CMOS) process technology with 1V of supply voltage and 781.2 Hz of input frequency. The results of the architecture are achieved an effective number of bits (ENOB) of 7.997 bits and a signal to noise, distortion ration (SNDR) level of 49.899 dB with sampling rate 200KS/s. Furthermore, total power consumption of the structure is 245 uW.
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