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High transparency induced superconductivity in field effect two-dimensional electron gases in undoped InAs/AlGaSb surface quantum wells

超导电性 凝聚态物理 电子 材料科学 量子阱 费米气体 化学 物理 量子力学 激光器
作者
E. Annelise Bergeron,F. Sfigakis,A. Elbaroudy,Anna Jordan,Frank Charles Thompson,George Nichols,Y. Shi,Man Chun Tam,Z. R. Wasilewski,Jonathan Baugh
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:124 (22)
标识
DOI:10.1063/5.0204063
摘要

We report on transport characteristics of field effect two-dimensional electron gases (2DEGs) in 24 nm wide indium arsenide surface quantum wells. High quality single-subband magnetotransport with clear quantized integer quantum Hall plateaus is observed to filling factor ν = 2 in magnetic fields of up to B = 18 T, at electron densities up to 8 ×1011/cm2. Peak mobility is 11 000 cm2/Vs at 2 ×1012/cm2. Large Rashba spin–orbit coefficients up to 124 meV Å are obtained through weak anti-localization measurements. Proximitized superconductivity is demonstrated in Nb-based superconductor-normal-superconductor (SNS) junctions, yielding 78%–99% interface transparencies from superconducting contacts fabricated ex situ (post-growth), using two commonly used experimental techniques for measuring transparencies. These transparencies are on a par with those reported for epitaxially grown superconductors. These SNS junctions show characteristic voltages IcRn up to 870 μV and critical current densities up to 9.6 μA/μm, among the largest values reported for Nb-InAs SNS devices.

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