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Atomic Scale Structure and Defects in 2D GaSe Films and Van der Waals Interface

范德瓦尔斯力 原子单位 材料科学 化学物理 比例(比率) 接口(物质) 范德瓦尔斯曲面 范德瓦尔斯株 范德瓦尔斯半径 哈梅克常数 分子物理学 化学 物理 分子 复合材料 量子力学 毛细管数 毛细管作用
作者
Jared M. Johnson,Choong Hee Lee,Sriram Krishnamoorthy,Siddharth Rajan,Jinwoo Hwang
出处
期刊:Microscopy and Microanalysis [Oxford University Press]
卷期号:23 (S1): 1728-1729
标识
DOI:10.1017/s1431927617009308
摘要

Recent advances in two-dimensional (2D) materials and interfaces have opened exciting new possibilities for realizing highly tunable electronic properties through innovative band gap engineering at the interface.2D materials can also be synthesized in a variety of compositions and structures, consequently resulting in novel properties at the interface that are not limited to the structural constraints in conventional interfaces, such as the choice of substrate and strain/defect control.Large area growth and/or transfer of 2D films have been extensively studied lately, most notably using metaldichalcogenides systems [1].Here, we present the cross-sectional atomic scale imaging and analysis of GaSe 2D layered materials on GaN substrate using scanning transmission electron microscopy (STEM) [2].Our analysis shows important details of the atomic structure that can dictate the electronic properties of GaSe and a new atomic scale reconstruction at the GaSe/GaN van der Waals (vdW) interface that has not been observed in any conventional epitaxy.Our new findings may have important implications for controlling the atomic structure of 2D/3D interfaces for tuning of the electronic structure at the interface for novel device applications.
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