Pyramidal shaped pit formation on InAlAs/Fe-doped InP structures grown by MOCVD

金属有机气相外延 材料科学 化学气相沉积 外延 光电子学 兴奋剂 基质(水族馆) 图层(电子) 电阻式触摸屏 纳米技术 电气工程 海洋学 工程类 地质学
作者
T. Noda,Akito Sasaki,C. Nozaki,Y. Ashizawa
标识
DOI:10.1109/iciprm.1995.522096
摘要

Epitaxial growth of semi-insulating Fe-doped InP (InP:Fe) by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) has been studied for electronic and optical device applications. For the growth of InP-based hetero-FETs such as InAlAs/InGaAs high electron mobility transistors (HEMTs), highly resistive InP:Fe buffer layers between InAlAs carrier confinement layers or InGaAs channel layers and InP substrates are important because MOCVD grown undoped-InP buffer layers often give leakage currents due to conductive paths caused by Si contamination at the buffer layer/substrate interface. We grew InAlAs/InP:Fe structures, and found that large pyramidal pits were formed on the structures with Fe-doping concentrations above 2/spl times/10/sup 17/ cm/sup -3/. To clarify the mechanism of pit formation and suitable growth conditions of InAlAs/InP:Fe structures for buffer layers, we investigated various growth condition dependencies of shape, size and density of the pits.
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