肖特基势垒
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肖特基二极管
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物理
核物理学
作者
E.S. Yang,C. M. Wu,Hubert Vollmer,T. O. Sedgewick,R. T. Hodgson
摘要
A Schottky barrier is fabricated with a silicon-aluminum-silicon structure by the irradiation of either a pulsed or cw laser. The completed diodes have a large barrier height (1 eV) and good rectifying properties.
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