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作者
Ziba Torkashvand,Kavoos Mirabbaszadeh,Farzaneh Shayeganfar,Pawan Kumar Srivastava,Changgu Lee,Mohadese Beigtan
摘要
A surface tunneling current measurement was used to study the electronic performance of hexagonal boron nitride (hBN) and surface-functionalized hBN in a variety of configurations and conditions.
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