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Preparation, Crystal Structure, and Properties of the Kagome Metal ThV6Sn6

化学 凝聚态物理 顺磁性 费米能级 电子结构 三元运算 电子能带结构 磁性 磁电阻 晶体结构 泡利不相容原理 拓扑(电路) 结晶学 电子 物理 计算化学 量子力学 磁场 组合数学 计算机科学 数学 程序设计语言
作者
Y. L. Xiao,Yongliang Chen,Hao Ni,Yong Li,Zhiwei Wen,Yajing Cui,Yong Zhang,Shaohua Liu,Cao Wang,Ruidan Zhong,Yong Zhao
出处
期刊:Inorganic Chemistry [American Chemical Society]
被引量:2
标识
DOI:10.1021/acs.inorgchem.4c03841
摘要

Kagome lattice materials are anticipated to exhibit unique properties stemming from the intricate interplay among geometry, magnetism, electronic correlation, and band topology. Here, we report a new ternary compound, ThV6Sn6, which contains double-layer kagome networks composed of vanadium atoms. The compound crystallizes in an HfFe6Ge6-type structure with cell parameters of a = b = 5.564(2) Å and c = 9.214(0) Å. Magnetic measurements reveal a Pauli paramagnetism state, and the electronic resistivity and specific heat data demonstrate metallic behavior. At low temperatures, the compound shows significant unsaturated magnetoresistance and multiband Hall effects, indicative of complex electronic transport mechanisms. The electron correlation effect is simultaneously underscored by the Wilson and Kadowaki–Woods ratios. First-principles calculations point to the existence of van Hove singularities in the proximity of the Fermi level at the M point in ThV6Sn6. Additionally, the electronic band structure features multiple topologically nontrivial crossings, enriching the material's topological landscape.
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