Single Side Etching - Key Technology for Industrial High Efficiency Processing

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作者
R. Preu,Marc Hofmann,F. J. Walter,Martin Zimmer,S. Eigner,Anke Lemke,L. Gautero,J. Rentsch
出处
期刊:23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 1-5 September 2008, Valencia, Spain 卷期号:: 1889-1892 被引量:8
标识
DOI:10.4229/23rdeupvsec2008-2dv.1.15
摘要

Single side etching technologies will gain more and more importance when high efficiency cell structures with passivated and locally contacted rear side will enter industrial production. Within this paper different etching approaches for the solar cells rear, either dry or wet chemically, have been investigated in terms of resulting surface topography, and, combined with subsequent PECVD stack passivation, in terms of surface recombination velocity and optical performance. Correlations between surface roughness, surface recombination velocity and final Voc potential have been taken. Thin (130 µm) passivated and locally LFC contacted Cz-Si solar cells have been processed implementing the different etching sequences reaching up to 4 % relative higher short circuit currents compared to Al-BSF reference cells with maximum efficiency of 16.2 %.

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