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Synergetic enhancement of sodium storage in gallium-based heterostructures

阳极 材料科学 异质结 扩散 电化学 离子 电流密度 化学工程 纳米技术 光电子学 电极 物理化学 化学 冶金 热力学 工程类 物理 有机化学 量子力学
作者
Wenjin Yang,Dong Chen,Yu Jiang,Yuezhan Feng,Xianhong Rui,Yan Yu
出处
期刊:Nano Energy [Elsevier BV]
卷期号:89: 106395-106395 被引量:17
标识
DOI:10.1016/j.nanoen.2021.106395
摘要

Gallium chalcogenides, emerging as promising anode for sodium-ion batteries (SIBs), show high capacity utilization and self-healing ability but poor electrochemical performance owing to their inferior electrical conductivity and sluggish ion diffusion. Building heterostructures is regarded as a valid strategy to facilitate carrier transfer and boost sodium storage. Herein, we develop a controllable two-step approach to synthesize the Ga 2 O 3 @Ga 2 S 3 @C heterostructures. Serving as the anode for SIBs, it exhibits a reversible capacity of 680 mAh g −1 at a current density of 0.1 A g −1 after 100 cycles, as well as superior cyclic stability (410 mAh g −1 at an ultrahigh current density of 20.0 A g −1 over 4000 cycles). The mechanism for the enhanced sodium storage of Ga 2 O 3 @Ga 2 S 3 @C heterostructures is disclosed, which is mainly ascribed to the synergistic effect of built-in electric field and interfacial effect in p-n junctions, helping the sodium ions diffusion and the further conversion reactions. • The uniform Ga 2 O 3 @Ga 2 S 3 @C heterostructures are developed by a two-step method. • The Ga 2 O 3 @Ga 2 S 3 @C is an outstanding anode for sodium-ion batteries (SIBs). • High capacity, superior rate capability and cycle stability for SIBs are achieved. • Built-in electric field and interfacial effect in heterostructures help Na storage.
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