Modeling of transconductance degradation and extraction of threshold voltage in thin oxide MOSFET's

跨导 阈值电压 材料科学 阈下传导 负偏压温度不稳定性 光电子学 MOSFET 阈下斜率 排水诱导屏障降低 信道长度调制 外推法 电子迁移率 电压 电气工程 晶体管 工程类 数学分析 数学
作者
H.‐S. Philip Wong,Marvin H. White,T.J. Krutsick,R.V.H. Booth
出处
期刊:Solid-state Electronics [Elsevier]
卷期号:30 (9): 953-968 被引量:303
标识
DOI:10.1016/0038-1101(87)90132-8

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