AlGaN/GaN Schottky Diode Fabricated by Au Free Process

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作者
Lifang Jia,Wei Yan,Zhongchao Fan,Zhi He,Xiaodong Wang,Guohong Wang,Fuhua Yang
出处
期刊:IEEE Electron Device Letters [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:34 (10): 1235-1237 被引量:14
标识
DOI:10.1109/led.2013.2278337
摘要

An AlGaN/GaN Schottky diode is fabricated using an Au free process. Both ohmic and Schottky contact are studied. The ohmic contact results show low contact resistance and good surface morphology. The specific resistance (ρc) and contact resistance (Rc) of the ohmic contact are ~ 3.5×10 -5 Ω×cm 2 and 2.1 Ω·mm, respectively. Several current transport mechanisms are employed to analyze the measured I- V curves of the diode. The data have demonstrated that at a lower forward bias the combination of generation recombination and tunneling current mechanisms are dominant, whereas the thermionic emission mechanism becomes more significant at a higher forward bias. The effective Schottky barrier height is estimated to be 0.99 eV. The breakdown voltage of AlGaN/GaN Schottky diode is ~ 125 V.
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