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光学
物理
作者
S. Wenzel,O. Brox,Pietro Della Casa,H. Wenzel,Andrea Knigge,Bassem Arar,Sergey Nechayev,Sabrina Kreutzmann,Andreas Wicht
出处
期刊:Conference on Lasers and Electro-Optics
日期:2021-01-01
卷期号:6: ATh4G.3-ATh4G.3
被引量:1
标识
DOI:10.1364/cleo_at.2021.ath4g.3
摘要
We present a novel approach for GaAs-based DBR diode lasers with an extended cavity. The developed chips exhibit a record small 3 dB linewidth of 25 kHz @ 1 ms at the wavelength of 1064 nm.
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