Analysis on charge-retention characteristics of sub-threshold synaptic IGZO thin-film transistors with defective gate oxides

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作者
Sungsik Lee
出处
期刊:Scientific Reports [Nature Portfolio]
卷期号:14 (1)
标识
DOI:10.1038/s41598-024-62872-9
摘要

We provide a quantitative analysis on the charge-retention characteristics of sub-threshold operating In-Ga-Zn-O (IGZO) thin-film transistors (TFTs) with a defective gate-oxide for low-power synaptic applications. Here, a defective SiO

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