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作者
Jianyu Gong,Yihang Zhang,Ting Yue,Yao Lu
出处
期刊:Journal of materials chemistry. A, Materials for energy and sustainability
[The Royal Society of Chemistry]
日期:2024-01-01
卷期号:12 (18): 10838-10851
被引量:1
摘要
An augmented built-in electric field was successfully fabricated within TiO 2 @MoS 2 /Bi 2 S 3 . DFT calculations reveal electron accumulation and depletion at the heterointerface, demonstrating unique electron transfer pathway directed towards MoS 2 .
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