Intelligent Tribotronic Transistors Toward Tactile Near‐Sensor Computing

材料科学 触觉传感器 晶体管 摩擦电效应 灵敏度(控制系统) 压力传感器 纳米技术 计算机科学 光电子学 人工智能 电气工程 电子工程 机器人 电压 机械工程 复合材料 工程类
作者
Lei Hao,Zi‐Yi Yin,Peihao Huang,Xu Gao,Chun Zhao,Zhen Wen,Xuhui Sun,Sui‐Dong Wang
出处
期刊:Advanced Functional Materials [Wiley]
被引量:10
标识
DOI:10.1002/adfm.202401913
摘要

Abstract For the next generation of human‐machine interaction (HMI) systems, the development of a tactile interaction unit with multimodal, high sensitivity, and real‐time perception and recognition is the key. Herein, an artificial tactile near‐sensor computing (ATNSC) unit based on a triboelectric tactile sensor and an organic synaptic transistor is reported. By introducing multi‐peak microstructures, the mechanical performance of the tactile sensor is optimized, showing a high sensitivity of 0.98 V kPa −1 in the pressure range of 0–10 kPa and maintaining 0.11 V kPa −1 at high pressures up to 350 kPa. Additionally, by designing stripe‐like convex structures on the top surface, the sensor is capable of bimodal perception in both pressure and sliding sensations. Furthermore, the organic synaptic transistor, which can be driven by tactile sensing stimuli in a variety of circumstances, is achieved utilizing an ion‐rich gelatin dielectric covered by a hydrophobic polymer coating layer. The ATNSC unit well demonstrates the stimuli‐dependent short‐term memory effect, and it enables tactile near‐sensor computing for feature action recognition in an HMI system, laying a solid foundation for the construction of intelligent interaction devices.
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