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组合数学
作者
Xiao-Shu Guo,San‐Dong Guo
摘要
The ferrovalley semiconductors (FVS) to half-valley-metal (HVM) to valley-polarized quantum anomalous Hall insulator (VQAHI) to HVM to FVS transitions can be driven by increasing electron correlation U in some special 2D valleytronic materials.
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