Silicon‐Compatible Ferroelectric Tunnel Junctions with a SiO2/Hf0.5Zr0.5O2 Composite Barrier as Low‐Voltage and Ultra‐High‐Speed Memristors

材料科学 复合数 电压 光电子学 铁电性 纳米技术 电气工程 复合材料 电介质 工程类
作者
He Wang,Zeyu Guan,Jiachen Li,Zhen Luo,Xinzhe Du,Zijian Wang,Haoyu Zhao,Shengchun Shen,Yuewei Yin,Xiaoguang Li
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:36 (15) 被引量:5
标识
DOI:10.1002/adma.202211305
摘要

The big data era requires ultrafast, low-power, and silicon-compatible materials and devices for information storage and processing. Here, ferroelectric tunnel junctions (FTJs) based on SiO
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