High-Pressure Synthesis and Characterization of Cr-Doped Large Single-Crystal Diamonds

表征(材料科学) 单晶 兴奋剂 材料科学 结晶学 高压 矿物学 纳米技术 化学 光电子学 物理 工程物理
作者
Baolin Zhang,Liangchao Chen,Chao Fang,Zhuangfei Zhang,Yuewen Zhang,Qianqian Wang,Biao Wan,Xun Yang,Wei Ren,Xiaopeng Jia
出处
期刊:Crystal Growth & Design [American Chemical Society]
卷期号:24 (8): 3195-3204
标识
DOI:10.1021/acs.cgd.3c01340
摘要

Diamond crystals doped with chromium were produced at 1400 °C and 5.8 GPa. The effect of Cr on the crystal morphology, nitrogen impurity content, and surface defects of diamonds grown on {111} and {100} planes has been studied in detail. The entry of the Cr impurity lattice in the Fe64Ni36–Cr–C and Fe64Ni36–Cr–Ti–C systems has also been analyzed. The results show that the addition of the proper amount of Cr in the FeNi–Cr–C system increases the growth rate of crystals. When Cr exists in the system, the N content decreases, and the crystallinity of the crystal increases. For the Fe64Ni36–Cr–Ti–C system, Cr is more easily doped into the synthesized crystals in terms of chromium–carbon and chromium–oxygen bonds, showing two valence states of Cr (VI) and Cr (III).

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