Radical, ion, and photon’s effects on defect generation at SiO2/Si interface during plasma etching

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作者
Shota Nunomura,Takayoshi Tsutsumi,Noriharu Takada,Masanaga Fukasawa,Masaru Hori
出处
期刊:Applied Surface Science [Elsevier]
卷期号:672: 160764-160764 被引量:2
标识
DOI:10.1016/j.apsusc.2024.160764
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