First-principles calculations of cubic boron arsenide surfaces

砷化镓 材料科学 凝聚态物理 结晶学 纳米技术 化学 物理 光电子学 有机化学
作者
Yuxuan Sun,Yinge Niu,Lingxue Zhang,Jiaxin Zhang,Ruge Quhe
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:125 (8) 被引量:3
标识
DOI:10.1063/5.0214687
摘要

The properties of cubic boron arsenide (c-BAs) (100), (110), and (111) surfaces are investigated by performing first-principles calculations using the slab and Green's function surface models with different terminals. The (111) surface with As-termination is found to be the most stable structure among the studied surfaces, with its lowest surface energy (1.70–1.92 J m−2) and largest surface density (20.24 nm−2). The electronic affinity of these surfaces lie in the range 4.62–6.17 eV, which is higher than that of common semiconductor materials, such as silicon (4.05 eV) and germanium (4.13 eV), implying that the electrons at the bottom of the conduction band require more energy to escape. The surface states of the structures with As-termination in the surface band structures are generally more numerous and extended than those with B-termination. The absorption peak of the bulk c-BAs is located in the ultraviolet region, and the light absorption ranges of the surfaces are significantly extended compared with the bulk c-BAs, due to the surface states inside the bandgap.
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