First Experimental Demonstration of 3D-Stacked 2T0C DRAM Cells Based on Indium Tin Oxide Channel

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作者
C.L. Gu,Qianlan Hu,Shenwu Zhu,Qijun Li,Min Zeng,Jiyang Kang,Anyu Tong,Yanqing Wu
出处
期刊:IEEE Electron Device Letters [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:45 (10): 1764-1767 被引量:6
标识
DOI:10.1109/led.2024.3443512
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