Fundamental Aspects and Comprehensive Review on Physical Properties of Chemically Grown Tin-Based Binary Sulfides

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作者
Sreedevi Gedi,Vasudeva Reddy Minnam Reddy,Tulasi Ramakrishna Reddy Kotte,Chinho Park,Woo Kyoung Kim
出处
期刊:Nanomaterials [MDPI AG]
卷期号:11 (8): 1955-1955 被引量:19
标识
DOI:10.3390/nano11081955
摘要

The rapid research progress in tin-based binary sulfides (SnxSy = o-SnS, c-SnS, SnS2, and Sn2S3) by the solution process has opened a new path not only for photovoltaics to generate clean energy at ultra-low costs but also for photocatalytic and thermoelectric applications. Fascinated by their prosperous developments, a fundamental understanding of the SnxSy thin film growth with respect to the deposition parameters is necessary to enhance the film quality and device performance. Therefore, the present review article initially delivers all-inclusive information such as structural characteristics, optical characteristics, and electrical characteristics of SnxSy. Next, an overview of the chemical bath deposition of SnxSy thin films and the influence of each deposition parameter on the growth and physical properties of SnxSy are interestingly outlined.
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