Controlled Electrochemical Deposition of Large‐Area MoS2 on Graphene for High‐Responsivity Photodetectors

材料科学 石墨烯 光电子学 异质结 拉曼光谱 化学气相沉积 单层 X射线光电子能谱 纳米技术 化学工程 光学 工程类 物理
作者
Xi Wan,Kun Chen,Zefeng Chen,Fangyan Xie,Xiaoliang Zeng,Weiguang Xie,Jian Chen,Jianbin Xu
出处
期刊:Advanced Functional Materials [Wiley]
卷期号:27 (19) 被引量:61
标识
DOI:10.1002/adfm.201603998
摘要

Controllable creating of wafer‐scale homogeneous vertical or parallel 2D heterostructures with low cost by the van der Waals stacking or covalently bonded stitching of 2D layered materials, such as graphene, hexagonal boron nitride, and transition‐metal dichalcogenides, is of great challenge. In this paper, a new green growth strategy for the fabrication of high‐quality large‐area and low‐cost vertical MoS 2 /graphene heterostructures has been successfully demonstrated via electrochemical deposition in water solution, followed by an annealing process in chemical vapour deposition system for the first time. The vertical MoS 2 /graphene heterostructures have been systematically investigated by the combined use of Raman spectroscopy, atomic force microscopy, X‐ray photoelectron spectroscopy, scanning electron microscopy, and transmission electron microscopy. This simple, reliable, and environmentally friendly growth strategy on conducting monolayer graphene in a controlled manner opens up a new way for producing low‐cost, large‐area, and high‐quality vertical MoS 2 /graphene heterostructures, which have promising applications not only in electronics and optoelectronics but also in the fields of catalysis and renewable energy.
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