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Linking simulated polycrystalline thin film microstructures to physical vapor deposition conditions

材料科学 微观结构 薄膜 溅射沉积 微晶 物理气相沉积 沉积(地质) 基质(水族馆) 表面粗糙度 表面能 溅射 透射电子显微镜 扩散 表面扩散 复合材料 化学物理 纳米技术 冶金 热力学 物理化学 古生物学 沉积物 生物 海洋学 物理 化学 吸附 地质学
作者
Joseph M. Monti,James A. Stewart,Joyce Custer,David P. Adams,Diederik Depla,Remi Philippe Michel Dingreville
出处
期刊:Acta Materialia [Elsevier BV]
卷期号:245: 118581-118581 被引量:5
标识
DOI:10.1016/j.actamat.2022.118581
摘要

We present a generalized multi-phase-field model to predict the growth of polycrystalline thin films fabricated by physical vapor deposition. The model accounts for the explicit transport of atomic species to the substrate and the competing diffusion processes on the surface and in the bulk of the film leading to the formation of films with specific microstructures. We used magnetron sputtering conditions (pressure, voltage, working distance, substrate orientation) to calculate the energy and direction of the arriving atoms at the substrate using Monte Carlo simulations with the SiMTRA code. Our simulation results capture the dependence of the microstructure on deposition conditions, and delineate the relationship between process parameters and the formation of columnar microstructures and surface roughness characteristic of thin films. These simulation predictions are in agreement with transmission electron microscopy characterization of sputtered films. Through our systematic investigation of competing growth mechanisms, we provide insights into the complex relationships between deposition conditions and bulk and surface morphologies.

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