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作者
Jingren Chen,Ran Tao,Gaokai Wang,Zhigang Yin,Libin Zeng,Xinxin Yu,Siyu Zhang,Yun Wu,Zhonghui Li,Xingwang Zhang
摘要
h-BNs with different orientations are directly grown on polycrystalline diamond due to minimization of the system energy. The diamond/h-BN heterojunction shows a type-II band alignment with a valence/conduction band offset of 2.08/1.86 eV.
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(2025-6-4)
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