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作者
Xiaohui Guo,Lin Zhu,Zeng-Lin Cao,K.L. Yao
摘要
The ferroelectric barrier MnSe-based MFTJs based on the ferromagnetic electrodes Fe 3 GeTe 2 exhibit four nonvolatile resistance states and can realize the coexistence of tunneling magnetoresistance (TMR) and tunneling electroresistance (TER).
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