Growth and characterization of high-purity SiC single crystals

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作者
G. Augustine,V. Balakrishna,C.D. Brandt
出处
期刊:Journal of Crystal Growth [Elsevier]
卷期号:211 (1-4): 339-342 被引量:46
标识
DOI:10.1016/s0022-0248(99)00826-x

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