A Novel Anion Doping for Stable CsPbI2Br Perovskite Solar Cells with an Efficiency of 15.56% and an Open Circuit Voltage of 1.30 V

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作者
Huan Zhao,Yu Han,Zhuo Xu,Chenyang Duan,Shaomin Yang,Shihao Yuan,Zhou Yang,Zhike Liu,Shengzhong Liu
出处
期刊:Advanced Energy Materials [Wiley]
卷期号:9 (40) 被引量:207
标识
DOI:10.1002/aenm.201902279
摘要

Abstract The Cs‐based inorganic perovskite solar cells (PSCs), such as CsPbI 2 Br, have made a striking breakthrough with power conversion efficiency (PCE) over 16% and potential to be used as top cells for tandem devices. Herein, I − is partially replaced with the acetate anion (Ac − ) in the CsPbI 2 Br framework, producing multiple benefits. The Ac − doping can change the morphology, electronic properties, and band structure of the host CsPbI 2 Br film. The obtained CsPbI 2− x Br(Ac) x perovskite films present lower trap densities, longer carrier lifetimes, and fast charge transportation compared to the host CsPbI 2 Br films. Interestingly, the CsPbI 2− x Br(Ac) x PSCs exhibit a maximum PCE of 15.56% and an ultrahigh open circuit voltage ( V oc ) of 1.30 V without sacrificing photocurrent. Notably, such a remarkable V oc is among the highest values of the previously reported CsPbI 2 Br PSCs, while the PCE far exceeds all of them. In addition, the obtained CsPbI 2− x Br(Ac) x PSCs exhibit high reproducibility and good stability. The stable CsPbI 2− x Br(Ac) x PSCs with high V oc and PCE are desirable for tandem solar cell applications.
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