A First Order-Curvature Compensation 5ppm/degC Low-Voltage & High PSR 65nm-CMOS Bandgap Reference with one-point 4-bits Trimming Resistor

带隙基准 电阻器 修边 温度系数 电压基准 材料科学 电压 线路调节 电气工程 CMOS芯片 低压 电源抑制比 光电子学 跌落电压 工程类 放大器 机械工程
作者
Edoardo Barteselli,Luca Sant,Richard Gaggl,A. Basçhirotto
摘要

Natural bandgaps produce 1.25V reference voltage that does not operate in low-voltage applications. This paper presents a current-mode bandgap reference circuit operating down to 1V supply (nominal = 1.2V) with low temperature coefficient, low power consumption, high Power-Supply-Rejection (PSR) and high performance robustness for industrial production in the consumer microphones field. The voltage reference is generated by the sum of two currents over a matched resistor: one current is proportional to VEB, the other one is proportional to VT. In 65nm node, a 600mV bandgap (BG) reference voltage consumes 5.2muW (4.3muA) at 1.2V supply. The simulated PSR is -91dB, -43dB and -29dB at DC, 1kHz and 10kHz respectively. Montecarlo simulations show a variation of 1% at 3sigma after 4-bits trimming over a temperature range between -40 degC and 100 degC without any high-order curvature compensation, performing 5ppm/degC temperature coefficient.
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