Flexible and quasi-isotropically thermoconductive polyimide films by guided assembly of boron nitride nanoplate/boron nitride flakes for microelectronic application

材料科学 聚酰亚胺 热导率 氮化硼 热稳定性 电介质 复合材料 氮化物 制作 纳米技术 光电子学 化学工程 病理 工程类 替代医学 图层(电子) 医学
作者
Lulu An,Zenghui Yang,Xiaoliang Zeng,Wanbiao Hu,Yuanlie Yu,Junyan Zhang,Qihua Wang
出处
期刊:Chemical Engineering Journal [Elsevier BV]
卷期号:431: 133740-133740 被引量:56
标识
DOI:10.1016/j.cej.2021.133740
摘要

Currently, the application of polyimide (PI) based materials often demands mutual additional properties, such as high thermal conductivity, good flexibility, high thermal stability and low dielectric constant and loss, etc.. Herein, a well-aligned hierarchical “brick and plank” architecture by rational assembly of dopamine modified hexagonal boron nitride flakes and nanoparticles ([email protected]) which can effectively improve the thermal conductivity, thermal stability, electrical conductivity, dielectric properties and shape memory performance of pure PI. The alternating stacking of vertically arranged h-BNNPs and horizontally laid h-BNFs yield a quasi-isotropic thermal conductivity of PI films with a high through-plane thermal conductivity of 6.43 W/(mK) and an in-plane thermal conductivity of 11.85 W/(mK) because of the simultaneously vertical and horizontal phonon scattering enabled by the vertically arranged h-BNNPs and horizontally laid h-BNFs. Besides, this special structure also endues PI films high thermal stability of over 560 °C, prominent electrical resistance of over 1.40 × 10-13 Ω•cm, and low dielectric loss of less than 0.02 in the high frequency. Moreover, the [email protected]/PI films exhibit excellent flexibility and shape memory performance with faster recovery response time reduced over 50 % comparing with that of pure PI film. These outstanding properties combining with the facile and scalable fabrication process make [email protected]/PI films are very promising in diverse electronic device applications, especially in flexible electronic devices or circuits requiring additionally high thermal conductivity and low dielectric loss.
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