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All-Inorganic Perovskite Solar Cells with Tetrabutylammonium Acetate as the Buffer Layer between the SnO2 Electron Transport Film and CsPbI3

钙钛矿(结构) 材料科学 能量转换效率 图层(电子) 化学工程 碳纤维 开路电压 电极 纳米技术 光电子学 电压 化学 复合数 复合材料 物理 工程类 物理化学 量子力学
作者
Hang Zhong,Wenbo Li,Yin Huang,Duoling Cao,Congqiang Zhang,Huaxi Bao,Zhiguang Guo,Li Wan,Zhichuan J. Xu,Xun Zhang,Yuebin Li,Xiaoming Ren,Xianbao Wang,Dominik Eder,Kai Wang,Shengzhong Liu,Shimin Wang
出处
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces [American Chemical Society]
卷期号:14 (4): 5183-5193 被引量:20
标识
DOI:10.1021/acsami.1c18375
摘要

All-inorganic CsPbI3 perovskites have great potential in tandem cells in combination with other photovoltaic devices. However, CsPbI3 perovskite solar cells (PSCs) still face a huge challenge, resulting in a low power conversion efficiency (PCE) relative to organic-inorganic PSCs. In this work, we introduced tetrabutylammonium acetate (TBAAc) as a buffer layer between the SnO2 electron-transport layer (ETL) and CsPbI3 all-inorganic perovskite film interface for the first time. TBAAc not only improved the conductivity of SnO2 ETL but also formed a 1D TBAPbI3 layer between the SnO2 ETL and the 3D CsPbI3 all-inorganic perovskite film, thereby enhancing the stability and passivating the surface defects of the CsPbI3 perovskite to fabricate high-efficiency carbon-counter electrode (CE)-based CsPbI3 solar cells. We fabricated carbon-CE-based hole-transporting layer ( HTL)-free PSCs with an FTO/SnO2/TBAAc/CsPbI3/C structure. The open-circuit voltage (Voc), short circuit current density (Jsc), PCE, and fill factor of the champion CsPbI3 PSCs simultaneously enhanced to 1.08 V, 17.48 mA/cm2, 12.79, and 67.8%, respectively. This PCE is currently one of the high efficiencies reported for the above planar-structured carbon-CE-based CsPbI3 PSCs to date. Moreover, the optimized device exhibits excellent stability, which retained over 83% of its initial PCE after 350 h. This work provides a facile way of simultaneous optimization of the SnO2 ETL and the CsPbI3 perovskite layer to fabricate stable and high-efficiency carbon-CE-based CsPbI3 PSCs.
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