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Attention-enhanced conditional variational autoencoder integrating 3D plasma etching simulation for etching process optimization

自编码 蚀刻(微加工) 等离子体 过程(计算) 等离子体刻蚀 材料科学 计算机科学 光电子学 人工智能 纳米技术 物理 深度学习 量子力学 操作系统 图层(电子)
作者
J. D. Guo,Kun Ren,Dong Ni,Dawei Gao
出处
期刊:Journal of vacuum science & technology [American Institute of Physics]
卷期号:43 (2)
标识
DOI:10.1116/6.0004166
摘要

Accurate prediction of etching profiles is essential for optimizing semiconductor manufacturing processes. In this work, we present a novel approach to etch process optimization using the EtchAttnCVAE model, which combines conditional variational autoencoders (CVAE) with the attention mechanism to improve the precision of profile predictions. By leveraging three-dimensional plasma etching simulations and real process data, our model captures intricate details of etching profiles, ensuring high structural fidelity under varying conditions. The EtchAttnCVAE model enhances both forward and inverse optimization capabilities. In forward prediction, it accurately generates etching profiles from process conditions, while in inverse optimization, it efficiently identifies optimal recipes from target profiles. This dual capability is part of a comprehensive workflow, which begins with a neural network-based surrogate model for rapid predictions, followed by inverse model calibration and process optimization. Our results demonstrate that the EtchAttnCVAE model significantly outperforms traditional methods by accelerating recipe generation and improving prediction accuracy, making it an ideal solution for smart manufacturing in the semiconductor industry.
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