Tuning the Flat Band in Bi2O2Se by Pressure to Induce Superconductivity

化学 超导电性 范霍夫奇点 费米面 费米能级 电子能带结构 双层石墨烯 电子结构 带隙 凝聚态物理 石墨烯 电子 量子力学 物理
作者
Hui Tian,Teng Tu,Xilian Jin,Chenyi Li,Tao Lin,Qing Dong,Xiaoling Jing,Бо Лю,Ran Liu,Da Li,Zhongkai Liu,Quanjun Li,Hailin Peng,Bingbing Liu
出处
期刊:Journal of the American Chemical Society [American Chemical Society]
卷期号:146 (11): 7324-7331 被引量:1
标识
DOI:10.1021/jacs.3c11984
摘要

The discovery of superconductivity in twisted bilayer graphene has reignited enthusiasm in the field of flat-band superconductivity. However, important challenges remain, such as constructing a flat-band structure and inducing a superconducting state in materials. Here, we successfully achieved superconductivity in Bi2O2Se by pressure-tuning the flat-band electronic structure. Experimental measurements combined with theoretical calculations reveal that the occurrence of pressure-induced superconductivity at 30 GPa is associated with a flat-band electronic structure near the Fermi level. Moreover, in Bi2O2Se, a van Hove singularity is observed at the Fermi level alongside pronounced Fermi surface nesting. These remarkable features play a crucial role in promoting strong electron–phonon interactions, thus potentially enhancing the superconducting properties of the material. These findings demonstrate that pressure offers a potential experimental strategy for precisely tuning the flat band and achieving superconductivity.
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