Experimental investigation of PCB embedded 1200 V IGBT/diode power pre-package under high-humidity high-temperature reverse voltage bias

材料科学 电气工程 结温 光电子学 可靠性(半导体) 二极管 热失控 绝缘栅双极晶体管 湿度 高压 电压 热的 功率(物理) 工程类 电池(电) 气象学 物理 热力学 量子力学
作者
Till Huesgen,Ankit Sharma,Kavita Rawal,Vladimir Polezhaev,Guenther Stohrer,Frank Koch,Michael Vaas
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier]
卷期号:138: 114619-114619 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2022.114619
摘要

PCB embedding is an attractive packaging technology for highly integrated future power systems. Electrical and thermal benefits and limitations are well understood, but only few publications focus on reliability. Here we are addressing high-humidity high temperature reverse bias (H3TRB) tests, which are performed to gain deeper understanding of the limitations of this technology. Cu filament growth is observed on both, PCB embedded samples and silicone potted reference samples. These filaments may form a conductive path and lead to an increased leakage current in blocking mode. Electrochemical corrosion of the Cu-plated guard ring is identified as root cause.
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