Tailored Growth of Transition Metal Dichalcogenides’ Monolayers by Chemical Vapor Deposition

化学气相沉积 单层 过渡金属 材料科学 纳米技术 沉积(地质) 化学工程 化学 有机化学 催化作用 沉积物 生物 工程类 古生物学
作者
Andrey Turchanin,Antony George
出处
期刊:Small [Wiley]
标识
DOI:10.1002/smll.202403089
摘要

Here, results on the tailored growth of monolayers (MLs) of transition metal dichalcogenides (TMDs) are presented using chemical vapor deposition (CVD) techniques. To enable reproducible growth, the flow of chalcogen precursors is controlled by Knudsen cells providing an advantage in comparison to the commonly used open crucible techniques. It is demonstrated that TMD MLs can be grown by CVD on large scale with structural, and therefore electronic, photonic and optoelectronic properties similar to TMD MLs are obtained by exfoliating bulk crystals. It is shown that besides the growth of the "standard" TMD MLs also the growth of MLs that are not available by the exfoliation is possible including examples like lateral TMD
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