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作者
Han Tao,Xiaoting Li,Junjie Zhang,Wenjun Tang,Sirong Jiang,C.H. Pan,Qian Ye,Shi‐Jin Ding,Yaqi Chen,Chunzhi Jiang
摘要
A large potential barrier is formed by introducing higher-LUMO-level acceptors into the bulk heterojunction, which ensures that the electrons recombine with holes instead of exhibiting transmission, decreasing the dark current ~3 orders of magnitude.
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