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Plasma-enhanced chemical vapor deposition of low-k dielectric films using methylsilane, dimethylsilane, and trimethylsilane precursors

三甲基硅烷 二甲基硅烷 电介质 退火(玻璃) 化学气相沉积 分析化学(期刊) 热稳定性 材料科学 X射线光电子能谱 化学 化学工程 有机化学 高分子化学 复合材料 光电子学 工程类
作者
Qi Wu,Karen K. Gleason
出处
期刊:Journal of vacuum science & technology [American Institute of Physics]
卷期号:21 (2): 388-393 被引量:56
标识
DOI:10.1116/1.1539086
摘要

Pulsed plasma-enhanced chemical vapor deposition from mixtures containing methylsilane (1MS), dimethylsilane (2MS), or trimethylsilane (3MS), systematically varied the methyl content in the resulting low dielectric constant films. The refractive index was found to depend strongly on methyl content but was relatively independent of the precursor used. However, the precursor used strongly impacted the local bonding structure of these organosilicate glass materials as revealed by Si29 nuclear magnetic resonance. The variations in local bonding structure did impact film hardness. No significant changes were found for the concentrations of CH3 and Si–CH3 after annealing and relative humidity treatment for all Si:O:C:H films grown from 1MS, 2MS and 3MS, which suggests that Si:O:C:H films have high thermal stability and very low moisture uptake. The dielectric constants of 2.4–2.6 were observed after annealing.
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