Prediction of the Silicon Yield on using Different SiO2/C/SiC Ratios

产量(工程) 材料科学 碳化硅 工程物理 光电子学 复合材料 工程类
作者
Aya Mohsen,A. A. Abouelsoud,Reda Abobeah,Ibrahim Ashour
出处
期刊:Journal of Advanced Engineering Trends (Print) [Egypts Presidential Specialized Council for Education and Scientific Research]
卷期号:43 (1): 217-220
标识
DOI:10.21608/jaet.2022.141429.1180
摘要

Silicon is produced by carbothermal of SiO 2 at high temperatures from 1600°C to 3000°C in an electric arc furnace.During production, significant amounts of carbon monoxide are observed.In this paper, the effect of carbon on the yield of silicon is discussed in order to reduce the amount of carbon monoxide (CO) production without affecting the yield of silicon.That discussing and illustrating by drawing the results of prediction of silicon has production using different ratios of SiO 2 /C/SiC.The results showed that the increase in carbon moles leads to an increase in the yield of carbon monoxide.Specifically, 9 moles of carbon can be replaced with 1 mole of silicon carbide to get half the carbon monoxide output and to maintain the yield of silicon at 2200 K.
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