Nanometer-Thick CsPbBr3 Films with Embedded CsPb2Br5 Nanowires for Photodetector Applications

材料科学 纳米线 钙钛矿(结构) 响应度 异质结 光电子学 光电探测器 薄膜 比探测率 带隙 纳米技术 化学工程 工程类
作者
Ziwei Sun,Yong Wang,Ye Liu,Ruliang Liu,Tao Chen,Shuming Ye,Niu Lai,Haoyang Cui,Lin Feng,Rongfei Wang,Jie Yang,Shaoying Ke,Chong Wang
出处
期刊:ACS applied nano materials [American Chemical Society]
卷期号:7 (10): 11785-11793 被引量:1
标识
DOI:10.1021/acsanm.4c01381
摘要

All-inorganic perovskite materials have gained enormous attention in photodetectors (PDs) due to their high charge carrier mobility, cost-effectiveness, and tunable bandgap. However, instability and corresponding performance degradation of perovskite PDs when exposed to surrounding humidity persist as challenges. In this work, a composite PD was fabricated by combining CsPb2Br5 nanowires and CsPbBr3 thin-film perovskites as an example to address these problems. The CsPb2Br5 nanowires were prepared by a facile water-bath method to improve the water resistance, and the subsequent evaporation of the CsPbBr3 film formed a type-I heterostructure to enhance its photosensitivity of PDs. As a result, the device exhibits a 10 times higher responsivity of 206 mA/W than that of the bare CsPbBr3 thin film device and maintains 92.85% of its original detectivity after being exposed to a humid environment (RH = 75%) for 144 h. Furthermore, the corresponding fundamental characterization was also performed to reveal the role of CsPb2Br5 nanowires in enhancing the overall performance of the PD. This work provides a simple and efficient approach to enhancing the durability and performance of all-inorganic halide perovskite devices through the embedding of CsPb2Br5 perovskite nanowires.
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