Theoretical analysis of passively mode-locked semiconductor ring lasers

光学 半导体激光器理论 激光器 光放大器 半导体 材料科学 波导管 谐振器 光电子学 带宽(计算) 物理 电信 计算机科学
作者
Bisheng Qin,Ruiying Zhang,Bocang Qiu,Ben Zhang,Chanchan Luo
出处
期刊:Optics Express [Optica Publishing Group]
卷期号:32 (14): 24358-24358
标识
DOI:10.1364/oe.523280
摘要

In this paper, the theoretical analysis of the passive mode-locked semiconductor ring lasers (PML-SRLs) is investigated based on a travelling wave model. It is found that both the optical confinement factor and the injection current make great contributions to the operation regime and the performance of PML-SRLs. All operation regimes of PML-SRLs are governed by the transient gain-loss balance. Such balance is closely associated with the relationship among the stimulated rate in the semiconductor optical amplifier (SOA), the carrier lifetime in the saturated absorber (SA), and the roundtrip time of the ring resonator. Furthermore, our investigation indicates that the mode-locked state of such PML-SRLs is independent of the passive waveguide, but the performance degrades with the increased waveguide loss or the shortened waveguide length, once the material bandwidth is wide enough. Another discovery is that it is possible to achieve the high energy pulse in the PML-SRL with shortening the passive length and narrowing the gain spectrum meanwhile. Overall, such investigations should benefit designing the required PML-SRLs and achieving the high performance.
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