Superconducting Field-Effect Transistors with PdxTe–Te Intimate Contacts

超导电性 材料科学 场效应晶体管 凝聚态物理 晶体管 工程物理 物理 量子力学 电压
作者
Chang Niu,Mingyi Wang,Zhuocheng Zhang,Gang Qiu,Yixiu Wang,Desheng Zheng,Pai-Ying Liao,Wenzhuo Wu,Peide D. Ye
出处
期刊:ACS Nano [American Chemical Society]
卷期号:18 (23): 15107-15113
标识
DOI:10.1021/acsnano.4c02352
摘要

Superconducting-based electronic devices have shown great potential for future quantum computing applications. One key building block device is a superconducting field-effect transistor based on a superconductor–semiconductor–superconductor Josephson-junction (JJ) with a gate-tunable semiconducting channel. However, the performance of such devices is highly dependent on the quality of the superconductor to semiconductor interface. In this study, we present an alternative method to obtain a high-quality interface by using intimate contact. We investigate the proximity-induced superconductivity in chiral crystal tellurium (Te) and fabricate a PdxTe–Te–PdxTe JJ with an ambipolar supercurrent that is gate-tunable and exhibits multiple Andreev reflections. The semiconducting two-dimensional Te single crystal is grown hydrothermally and partially converted to superconducting PdxTe by controlled annealing. Our work demonstrates a promising path for realizing controllable superconducting electronic devices with high-quality superconducting interfaces; thus, we can continue to advance the field of quantum computing and other interface-based technologies.

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