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作者
Jerry A. Yang,Robert K. A. Bennett,Lauren Hoang,Zhepeng Zhang,Kamila J. Thompson,Antonios Michail,John Parthenios,Konstantinos Papagelis,Andrew J. Mannix,Eric Pop
出处
期刊：ACS Nano
[American Chemical Society]
日期：2024-06-26
卷期号：18 (28): 18151-18159
被引量：10
标识
DOI：10.1021/acsnano.3c08996
摘要
Strain engineering can modulate the properties of two-dimensional (2D) semiconductors for electronic and optoelectronic applications. Recent theory and experiments have found that uniaxial tensile strain can improve the electron mobility of monolayer MoS
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