Open‐Circuit Voltage Loss in Lead Chalcogenide Quantum Dot Solar Cells

钝化 硫系化合物 材料科学 量子点 开路电压 纳米技术 能量转换效率 光伏系统 硫化铅 铅(地质) 光电子学 光伏 电压 电气工程 工程类 地质学 地貌学 图层(电子)
作者
Junwei Liu,Kaihu Xian,Long Ye,Guanyi Chen
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:33 (29): 2008115-2008115 被引量:13
标识
DOI:10.1002/adma.202008115
摘要

Lead chalcogenide colloidal quantum dot solar cells (CQDSCs) have received considerable attention due to their broad and tunable absorption and high stability. Presently, lead chalcogenide CQDSC has achieved a power conversion efficiency of ≈14%. However, the state-of-the-art lead chalcogenide CQDSC still has an open-circuit voltage (Voc) loss of ≈0.45 V, which is significantly higher than those of c-Si and perovskite solar cells. Such high Voc loss severely limits the performance improvement and commercialization of lead chalcogenide CQDSCs. In this review, the Voc loss is first analyzed via detailed balance theory and the origin of Voc loss from both solar absorber and interface is summarized. Subsequently, various strategies for improving the Voc from the solar absorber, including the passivation strategies during the synthesis and ligand exchange are overviewed. The great impact of the ligand exchange process on CQD passivation is highlighted and the corresponding strategies to further reduce the Voc loss are summarized. Finally, various strategies are discussed to reduce interface Voc loss from charge transport layers. More importantly, the great potential of achieving performance breakthroughs via various organic hole transport layers is highlighted and the existing challenges toward commercialization are discussed.
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