The Deterioration of a-IGZO TFTs Owing to the Copper Diffusion after the Process of the Source/Drain Metal Formation

材料科学 薄膜晶体管 无定形固体 金属 光电子学 晶体管 氧化物 扩散 冶金 电气工程 复合材料 化学 结晶学 图层(电子) 热力学 物理 电压 工程类
作者
Ya‐Hsiang Tai,Hao Lin Chiu,Lu Sheng Chou
出处
期刊:Journal of The Electrochemical Society [The Electrochemical Society]
卷期号:159 (5): J200-J203 被引量:74
标识
DOI:10.1149/2.025206jes
摘要

In this work, the influence of copper on amorphous type Indium-Gallium-Zinc-Oxide (a-IGZO) thin-film transistor's (TFTs) transfer curve is studied. The ID-VG curves of a-IGZO TFTs with source/drain in the structures of Cu/Ti and Ti/Al/Ti are compared. The results show that the copper greatly deteriorates the performance of the TFTs. The presence of the copper in the channel region of the device is verified by SIMS analysis. A Cu-dipping experiment is conducted by dipping devices into the solution of CuSO4 to confirm the role of copper in the deterioration of the ID-VG curves. The hypothesis is also verified through ATLAS device simulator.
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