The effect of annealing on amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors

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作者
Hyeon-seok Bae,Jae-Hong Kwon,Seongpil Chang,Myung-Ho Chung,Tae-Yeon Oh,Jung Ho Park,Sang Yeol Lee,James Jungho Pak,Byeong‐Kwon Ju
出处
期刊:Thin Solid Films [Elsevier]
卷期号:518 (22): 6325-6329 被引量:42
标识
DOI:10.1016/j.tsf.2010.02.073

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