Investigation into gate dielectric material using different optimization techniques in carbon nanotube field effect transistors

碳纳米管 材料科学 碳纳米管场效应晶体管 电介质 场效应晶体管 晶体管 栅极电介质 纳米技术 光电子学 工程物理 电气工程 工程类 电压
作者
Ankita Dixit,Navneet Gupta
出处
期刊:Journal of Micromechanics and Microengineering [IOP Publishing]
卷期号:29 (9): 094002-094002 被引量:4
标识
DOI:10.1088/1361-6439/ab2a61
摘要

This paper presents an analysis of gate dielectric materials using different optimization techniques for carbon nanotube field effect transistors. The selection of the best gate dielectric is done using multi-criteria decision-making methods, i.e. Ashby's, TOPSIS (technique for order preference by similarity to ideal solution) and VIKOR (VlseKriterijumska Optimizacija I Kompromisno Resenje in Serbian). The selection criteria for the best dielectric material are based on various material indices which include relative dielectric constant (εr), energy band gap (Eg), conduction band offset and coefficient of thermal expansion. This analysis concludes that lanthanum oxide (La2O3) is the most promising dielectric material, followed by HfO2. All these material selection methodologies converge on the same results. This result is compared with the experimental findings, and the close match between analytical and experimental results confirms the validity of this study.
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